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韩媒:三星正开发8层HBM4E,以满足英伟达要求

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8 月 28 日,据《首尔经济日报》报道,三星电子正按照英伟达要求开发 8 层 HBM4E 产品,拟用于英伟达定制高带宽存储器 NVHBM。该方案较三星原先准备的 12 层和 16 层产品减少堆叠层数,英伟达提出的目标速度为 17 至 18...