SK海力士启动3D堆叠DRAM研发，布局端侧AI存储新技术

7 月 24 日，SK 海力士正在加速开发被视为面向端侧 AI 的下一代 DRAM 技术——3D 堆叠 DRAM。据悉，公司近期已启动人才招聘计划，并计划与美国客户合作，共同设计相关技术。

3D 堆叠 DRAM 设计是一项下一代半导体技术，即将存储芯片直接堆叠在逻辑半导体（系统半导体）之上。业内预计，在生成式 AI 之后的物理 AI 时代，这类技术将成为端侧 AI 设备的核心半导体解决方案。

SK 海力士近期正通过位于美国圣何塞的美洲法人招聘 3D 堆叠 DRAM 设计工程师，以推进相关技术研发。

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